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如图是前段时间的一道笔试题目。也在论坛上看了一些前辈的资料。N阱电容大概也了解了，这次主要是想问下，这个电容的高频曲线和低频曲线会不会有区别。以下是我个人的一点小理解：

对于该电容，当VG＞0时，N阱表面形成多子堆积态，此时电容始终是最大值，等于Cox

当Vg＜0时候，随着负压的增大，N阱表面开始出现耗尽层并且耗尽层逐渐变宽，等效电容等于Cox与Cdep的串联，在逐渐降低；

当Vg＜0并且N阱表面开始出现少字反型的时候，那么问题来了，随着负压的增大，高频与低频会不会曲线变化不一样？我想的是，如果是高频，那么此时N阱内部的少子很难有足够时间被吸引到表面再排斥回衬底这样来回，此时应该是耗尽层边缘的电荷在变化，总的电容等于Cox与Cdep的串联，保持最小值，也就是类似Z型曲线；如果是低频，那么此时N阱内部的少子有足够时间被吸引到表面再排斥回衬底这样来回，此时的等效电容只有Cox在充放电，因此曲线应该回到Cox的大小，也就是类似V型曲线。不知道这样思考是否正确，请大神指点。